复旦大学俞少峰课题组从事先进逻辑和存储器件仿真、原子级材料仿真的研究，主要关注纳米级尺度器件特性的微观理解及集成电路未来技术的创新探索。目前主要研究方向包括：（1）环栅器件（GAACFET）的器件技术探索；（2）铁电场效应晶体管的器件及材料性能研究。诚邀对集成电路工艺器件技术的前沿探索有兴趣并有志深度参与的优秀博士加盟本研究组。

俞少峰，博士生导师，国家特聘专家，复旦大学微电子学院研究员，国家集成电路创新中心常务副总经理。先后在美国Intel、美国德州仪器和中芯国际等国际著名公司工作近30年，长期从事先进工艺研发、管理，参与过从0.5微米到14纳米所有10代逻辑工艺技术的开发。2011年10月至2019年1月在中芯国际担任技术研发副总裁，负责中芯国际各类工艺技术研发，包括14nm FinFET工艺技术平台从零到壹的建立。俞少峰博士拥有已授权专利约60项，发表国际领先杂志和会议论文60余篇。

课题组近年来发表的论文如下：

[1] Sun, B., Z. Xu, R. Ding, J. Yang, K. Chen, S. Xu, M. Xu, Y. Lu, X. Zhu*, S. Yu, and D. Zhang*, Analytical Model of CFET Parasitic Capacitance for Advanced Technology Nodes. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022. 69(3): p. 936-941.

[2] Zhao, G.-D., X. Liu, W. Ren, X. Zhu*, and S. Yu, Symmetry of ferroelectric switching and domain walls in hafnium dioxide. Physical Review B, 2022. 106(6): p. 064104.

[3] X. Zhu, R. Ding, Y. Li, Q. Wu and S. Yu, "CFET 6T HD SRAM Designs with 3nm Design Rule," 2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2022, pp. 1-4, doi: 10.1109/CSTIC55103.2022.9856851.

[4] R. Ding, Y. Li, Y. Liu, Q. Wu, X. Zhu* and S. Yu, "HD SRAM bitcell size shrink beyond 7nm node by CFET without EUV," 2021 International Workshop on Advanced Patterning Solutions (IWAPS), 2021, pp. 1-4, doi: 10.1109/IWAPS54037.2021.9671236.

一、待遇

1. 按照复旦大学博士后相关规定执行，根据个人具体情况，提供具有竞争力的福利待遇，如博士后公寓，附属幼儿园和附属学校的配套教育资源；

2. 推荐优秀博士后申请超级博士后；

3. 视应聘者具体情况，课题组将提供额外个人补助，年薪25-30万元及以上。

二、岗位职责

1. 能够独立开展科研工作、完成课题并发表文章。指导及帮助研究生的工作；

2. 协助参与课题组的日常管理。

三、招聘条件

1. 即将或已经获得物理，材料，微电子、计算机等相关专业博士学位。发表过第一作者SCI文章，熟悉文章发表流程；

2. 具备良好的思想素质和职业操守，具有独立科研的能力，工作努力，有责任心，热爱科研工作；

3. 具有良好的沟通交流能力和团队合作精神；

4. 具有良好的中英文表达和写作能力。

具有以下一项或多项经验者更佳 (非硬性条件)

1. 第一性原理计算 VASP， Quantum Espresso；

2. 量子多体场论，格林函数方法，微扰论等理论基础知识；

3. 分子动力学模拟仿真, 经典动力学，AIMD等；

4. TCAD 工艺和器件仿真工具的开发和应用。

四、申请方式

请发送详细的个人简历：包括学习工作经历、主要研究工作内容、代表论文论著清单、获得的奖励情况，及附加研究兴趣简要说明电子版至: shaofeng_yu@fudan.edu.cn并抄送xiaona_zhu@fudan.edu.cn。注：未通过初筛者恕不另行通知。

（电话联系时请说明是在博士后网（boshihouzp.gaoxiaozp.com）看到的招聘信息，邮件申请时请在标题结尾加上信息来源于“博士后网(boshihouzp.gaoxiaozp.com)”）。