北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心2026年招聘博士后研究人员启事

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心杨学林、沈波课题组博士后研究人员招聘启事

院系/所/中心	物理学院凝聚态物理与材料物理研究所
合作导师	杨学林，沈波
研究专业/方向	宽禁带半导体材料和器件
招聘岗位	1人
年薪标准	1.基本年薪12万元起； 2.享受学校提供的博士后公寓或6万元/年的租房补贴； 3.符合条件的，享受国家提供的1.2万元/年无福利住房补贴； 4.根据业绩可外加绩效奖励，特别优秀者推荐申请北京大学博雅博士后； 5.符合政策的，享受北京市户籍档案迁转和子女插班入学北京大学附属幼儿园/小学/初中；
职位描述	1.GaN基功率电子材料和射频电子材料的MOCVD外延生长; 2.宽禁带半导体材料中的杂质缺陷; 3.GaN基半导体材料和器件中的声子输运及其热管理; 4.协助团队负责人推进相关项目的进展； 5.申请和承担相关领域的科研项目。
候选人基本条件	1.国内外著名大学博士学位获得者，年龄35岁以下，毕业3年以内； 2.具有很好的半导体物理专业知识，很强的动手能力，熟练掌握材料生长和测试表征技术； 3.具有较强的中英文听、说、读、写能力； 4.具有很好的团队精神，吃苦耐劳，具备独立从事科学研究的能力，踏实肯干，为人正直，善于沟通与协调；性格阳光； 5.进站后须全职从事博士后研究工作； 6.身体健康，符合北京大学博士后的招收条件。
申请材料	1.个人简历，包括学习和工作履历、研究经验与特长、学术成果清单； 2.两位推荐人的推荐信和联系方式，其中一位应为博士阶段导师； 3.1-3篇代表性论文全文； 4.1-2页研究计划； 5.其它应聘者认为重要的材料。
联系人	姓名：杨学林邮件地址：xlyang@pku.edu.cn
备注	初选通过后，邮件通知候选人；申请材料恕不退回。北京大学博士后管理政策：http://postdocs.pku.edu.cn/ 在站期间表现优秀者可以申请专职研究岗位。
截止时间	长期有效，招到为止。

原文出处：

https://www.phy.pku.edu.cn/info/1108/14262.htm

（电话联系时请说明是在博士后网（boshihouzp.gaoxiaozp.com）看到的招聘信息，邮件申请时请在标题结尾加上信息来源于“博士后网(boshihouzp.gaoxiaozp.com)”）。

信息来源：北京大学 | 作者：admin | 时间：2026-03-13 08:16
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